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纳芯微电子

NOVOSENSE

共 2750 款型号 · 第 23 / 77 页

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型号所属系列状态简介
NSD16241-DSPR >600V半桥驱动 active 高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器,能提供最大4A/6A的拉灌电流能力,驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于
NSD16241-Q1SPKR >600V半桥驱动 active 车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力,可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 纳芯
NSD16241-Q1SPR >600V半桥驱动 active 车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力,可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 纳芯
NSD16242-DSPR >600V半桥驱动 active 高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器,能提供最大4A/6A的拉灌电流能力,驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于
NSD16242-Q1SPR >600V半桥驱动 active 车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力,可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 纳芯
NSD2012N-DQAFR GaN驱动 active 集成负压关断的高压半桥GaN驱动。NSD2012N是专为E-mode GaN设计的低边驱动芯片,该芯片低传输延时特性,能提供2A/-4A的驱动能力。驱动输出级内
NSD2017-Q1CBAR GaN驱动 active 单通道、高速、窄脉宽GaN驱动。NSD2017是一颗单通道、高速、窄脉宽驱动器,专为高开关频率的GaN应用而设计,特别适用于激光雷达应用。其大电流驱动能力,可以
NSD2017-Q1DABR GaN驱动 active 单通道、高速、窄脉宽GaN驱动。NSD2017是一颗单通道、高速、窄脉宽驱动器,专为高开关频率的GaN应用而设计,特别适用于激光雷达应用。其大电流驱动能力,可以
NSD2621A-DQAGR GaN驱动 active 高压半桥GaN驱动芯片。NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,高边驱动可以支持-700V到+7
NSD2621C-DQAGR GaN驱动 active 高压半桥GaN驱动芯片。NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,高边驱动可以支持-700V到+7
NSD2622N-DQAER GaN驱动 active 集成负压关断的高压半桥GaN驱动。NSD2622N是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片,该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,高边驱动可以支持-70
NSD3602H-Q1QDAR 直流有刷电机预驱 active 40V 2通道直流有刷半桥预驱。NSD3602-Q1系列是一款2通道半桥栅极驱动芯片,支持12V车载电池系统,能承受40V抛负载电压。提供2通道半桥驱动,可独立
NSD3602S-Q1QDAR 直流有刷电机预驱 active 40V 2通道直流有刷半桥预驱。NSD3602-Q1系列是一款2通道半桥栅极驱动芯片,支持12V车载电池系统,能承受40V抛负载电压。提供2通道半桥驱动,可独立
NSD3604-Q1QAIR 直流有刷电机预驱 active 40V四通道半桥预驱。NSD3604-Q1系列是一款4通道半桥栅极驱动芯片,支持12V车载电池系统,能承受40V抛负载电压。可独立驱动最多16颗外置MOSFET
NSD3604-Q1QAJR 直流有刷电机预驱 active 40V四通道半桥预驱。NSD3604-Q1系列是一款4通道半桥栅极驱动芯片,支持12V车载电池系统,能承受40V抛负载电压。可独立驱动最多16颗外置MOSFET
NSD3608-Q1QAJR 直流有刷电机预驱 active 40V八通道半桥预驱。NSD3608-Q1系列是一款8通道半桥栅极驱动芯片,支持12V车载电池系统,能承受40V抛负载电压。可独立驱动最多16颗外置MOSFET
NSD3661-Q1HTSPR 多通道可配置高低边驱动 active 用于相关断与功率路径控制的三相高边驱动。NSD3661是一款3通道N沟道MOSFET驱动器,主要用于驱动相位隔离应用中的MOSFET,同时也可作为高边/低边MO
NSD56008-Q1HTSBR 多通道低边驱动 active 车规级40V, 1Ω八通道低边继电器与螺线管驱动芯片。NSD56008 是一款八通道低边驱动器,专门设计用于控制汽车和工业应用中的继电器和 LED。16 位串行
NSD5604-DHTSPR 多通道低边驱动 active 55V 260mΩ 4通道低边驱动。NSD5604/NSD5604N是一款4通道低边驱动芯片,该产品集成了4通道低边NMOSFET可以驱动阻性,容性或者感性负载
NSD5604N-DHTSPR 多通道低边驱动 active 55V 260mΩ 4通道低边驱动。NSD5604/NSD5604N是一款4通道低边驱动芯片,该产品集成了4通道低边NMOSFET可以驱动阻性,容性或者感性负载
NSD5604N-Q1HTSPR 多通道低边驱动 active 车规级55V四通道低边继电器与螺线管驱动芯片。NSD5604N-Q1是一款4通道低边驱动芯片,该产品集成了4通道低边NMOSFET,可以驱动阻性、容性或者感性负
NSD56080-Q1HTSBR 多通道可配置高低边驱动 active 8通道可配高低边驱动系列。8通道智能可配高低边驱动系列驱动芯片,工作电压4.5V~28V(内部39V钳位电压),每通道驱动电流330mA(所有通道ON并且环境温
NSD56242-Q1HTSBR 多通道可配置高低边驱动 active 8通道可配高低边驱动系列。8通道智能可配高低边驱动系列驱动芯片,工作电压4.5V~28V(内部39V钳位电压),每通道驱动电流330mA(所有通道ON并且环境温
NSD56602-Q1HTSBR 多通道可配置高低边驱动 active 8通道可配高低边驱动系列。8通道智能可配高低边驱动系列驱动芯片,工作电压4.5V~28V(内部39V钳位电压),每通道驱动电流330mA(所有通道ON并且环境温
NSD56620-Q1HTSBR 多通道可配置高低边驱动 active 8通道可配高低边驱动系列。8通道智能可配高低边驱动系列驱动芯片,工作电压4.5V~28V(内部39V钳位电压),每通道驱动电流330mA(所有通道ON并且环境温
NSD7308H-Q1QBFR 直流有刷电机集成驱动 active 车规级H桥电机驱动器。NSD730x-Q1系列器件是一款全集成H桥驱动IC,用于在汽车应用中驱动有刷直流电机。该器件可配置为单个全桥驱动器或两个独立的半桥驱动器
NSD7308S-Q1QBFR 直流有刷电机集成驱动 active 车规级H桥电机驱动器。NSD730x-Q1系列器件是一款全集成H桥驱动IC,用于在汽车应用中驱动有刷直流电机。该器件可配置为单个全桥驱动器或两个独立的半桥驱动器
NSD7310-DHSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥直流有刷驱动。NSD7310是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护,过流保护,过
NSD7310-Q1HSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥直流有刷驱动。NSD7310是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护,过流保护,过
NSD7310A-DHSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持电流采样功能直流有刷驱动。NSD7310A是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压
NSD7310C-DHSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持电流采样功能直流有刷驱动。NSD7310C是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压
NSD7312-DHSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持错误报警直流有刷驱动。NSD7312是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护,
NSD7312-Q1HSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持错误报警直流有刷驱动。NSD7312-Q1是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压
NSD7312A-DHSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持错误报警直流有刷驱动。NSD7312A是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护
NSD7312A-Q1HSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V 3.6A H桥支持错误报警直流有刷驱动。NSD7312A是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护
NSD7314-DHTSPR 直流有刷电机集成驱动 active 40V峰值电流6A直流有刷电机驱动芯片。NSD7314/NSD7314-Q1是一款直流有刷电机驱动芯片,芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括
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