简介
高压半桥GaN驱动芯片。NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，150 V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时的特性。两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。
高低边的驱动级都采用了专门的电压调节器，以确保驱动电压在GaN栅极可接受的稳定范围内，使得GaN不论在何种情况下，都能正常工作。同时具备了UVLO保护功能，保护电源系统工作安全。
主要参数
| Package |
QFN15 |
| Rating |
Industrial |
| Drive Object |
GaNFET |
| Peak Drive Current (A) |
2/-4 |
| Output Channel |
2 |
| Bus Voltage (V) |
700 |
| VCC Max (V) |
24 |
| Propagation Delay (Max) ton/off (ns) |
60/60 |
| Delay Matching (ns) |
10 |
| Features |
UVLO, Programmable dead time, Enable, Integrated LDO |
| Operating Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 高压侧电压范围：+/-700V；
- 高低边独立 UVLO 保护功能；
- +2/-4A 驱动电流能力;
- 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠;
- 低于 60ns 传播延时，低于 10ns 高低边延时匹配;
- +5/-5V 逻辑地偏置;
- 150V/ns 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力;
- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃
- 封装形式: QFN (4*4mm)
- 驱动电压输出NSD2621A: 6V / NSD2621C: 5V
应用场景
- 半桥、全桥、LLC电源拓扑
- 适配器高密电源
- 太阳能、电机驱动及新能源领域
NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，150 V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时的特性。两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。
高低边的驱动级都采用了专门的电压调节器，以确保驱动电压在GaN栅极可接受的稳定范围内，使得GaN不论在何种情况下，都能正常工作。同时具备了UVLO保护功能，保护电源系统工作安全。
原理图 / 引脚
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