纳芯微电子

型号	所属系列	状态	简介
NSCSA240A4-DSPR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA240 是一款高精度的双向电流检测放大器，能够测量在宽共模范围（–4 V 到 80 V）下，跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。其
NSCSA240A4-DTSPR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA240 是一款高精度的双向电流检测放大器，能够测量在宽共模范围（–4 V 到 80 V）下，跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。其
NSCSA240A4-Q1SPR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA240 是一款高精度的双向电流检测放大器，能够测量在宽共模范围（–4 V 到 80 V）下，跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。其
NSCSA240A4-Q1TSPR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA240 是一款高精度的双向电流检测放大器，能够测量在宽共模范围（–4 V 到 80 V）下，跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。其
NSCSA285A1-DMSR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA285 是一款高精度的双通道高侧电流检测放大器，能够在宽共模范围（3 V 到 76 V）内测量跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。
NSCSA285A2-DMSR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA285 是一款高精度的双通道高侧电流检测放大器，能够在宽共模范围（3 V 到 76 V）内测量跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。
NSCSA285A3-DMSR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA285 是一款高精度的双通道高侧电流检测放大器，能够在宽共模范围（3 V 到 76 V）内测量跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。
NSCSA285A4-DMSR	电流检测放大器	active	电流检测放大器。NSCSA285 是一款高精度的双通道高侧电流检测放大器，能够在宽共模范围（3 V 到 76 V）内测量跨越分流电阻的电压降，且与供电电压无关。
NSD1012C-DSTCR	低边驱动	active	集成OCP功能的单通道低边驱动。NSD1012C 是一款低边栅极驱动器，能够提供 3A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流，用于驱动功率 MOSFET或 IGBT。
NSD10151-Q1STCR	低边驱动	active	单通道低边栅极驱动。NSD10151/9是单通道低边栅极驱动器，适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。NSD10151是车规级产品。NSD10159
NSD10157-DSTAR	低边驱动	preview	单通道低边驱动器。NSD10157 是一款单通道、高速栅极驱动器，适用于驱动 Si MOSFET、IGBT 和 SiC 功率器件。它能够提供 3.5A 的拉电流
NSD10159-DSTAR	低边驱动	active	单通道低边栅极驱动。NSD10159是单通道低边栅极驱动器，适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。NSD10159是工规级产品，可以提供较强的驱动能
NSD1015MT-DSPR	低边驱动	active	集成DESAT保护的智能单通道低边栅极驱动器。NSD1015T/MT是智能单通道非隔离栅极驱动器，适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。它能够提供5
NSD1015T-DSPR	低边驱动	active	集成DESAT保护的智能单通道低边栅极驱动器。NSD1015T/MT是智能单通道非隔离栅极驱动器，适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。它能够提供5
NSD1026V-DDAER	低边驱动	active	非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来
NSD1026V-DHMSR	低边驱动	active	非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来
NSD1026V-DSPR	低边驱动	active	非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来
NSD1026V-Q1HMSR	低边驱动	active	车规级非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌
NSD1026V-Q1HSPR	低边驱动	active	车规级非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌
NSD1026V-Q1SPR	低边驱动	active	车规级非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌
NSD1026VF-DSPR	低边驱动	active	双通道、输入输出反相的非隔离低边驱动。NSD1026VF是双通道、输入输出反相的高速栅极驱动器，适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。
NSD11416-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V单路160mΩ智能低边开关。NSD11416是应用于汽车和工业场景的单通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约160mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD11416-Q1STBR	高低边开关	active	汽车40V单路160mΩ智能低边开关。NSD11416是应用于汽车和工业场景的单通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约160mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD11430-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V单路300mΩ智能低边开关。NSD11430是应用于汽车和工业场景的单通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约300mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD11430-Q1STBR	高低边开关	active	汽车40V单路300mΩ智能低边开关。NSD11430是应用于汽车和工业场景的单通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约300mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD12409-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V双路90mΩ智能低边开关。NSD12409是应用于汽车和工业场景的双通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约90mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过AE
NSD12416-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V双路160mΩ智能低边开关。NSD12416是应用于汽车和工业场景的双通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约160mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD12416A-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V双路160mΩ智能低边开关。NSD12416A是应用于汽车和工业场景的双通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约160mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通
NSD12430-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V双路300mΩ智能低边开关。NSD12430是应用于汽车和工业场景的双通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约300mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通过
NSD12430A-Q1SPR	高低边开关	active	汽车40V双路300mΩ智能低边开关。NSD12430A是应用于汽车和工业场景的双通道智能低边开关，其耐压>40V，内阻约300mΩ，兼具各种诊断与保护功能，通
NSD1624-DLAJR	>600V半桥驱动	active	高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于
NSD1624-DSPKR	>600V半桥驱动	active	高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于
NSD1624-DSPR	>600V半桥驱动	active	高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于
NSD1624-Q1SPKR	>600V半桥驱动	active	车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 纳芯
NSD1624-Q1SPR	>600V半桥驱动	active	车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 纳芯
NSD16241-DSPKR	>600V半桥驱动	active	高可靠性非隔离半桥驱动器。NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于