简介
集成负压关断的高压半桥GaN驱动。NSD2622N是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，200V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时匹配的特性，两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。高低边的驱动输出级都内部集成专门的电压调节器，可以生成5V~6.5V可调的稳定正压，以及-2.5V的固定负压，从而省去了外部负压电路。同时集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的场景。
主要参数
| Package |
QFN30 |
| Rating |
Industrial |
| Drive Object |
GaNFET |
| Peak Drive Current (A) |
2/-4 |
| Output Channel |
2 |
| Bus Voltage (V) |
700 |
| VCC Max (V) |
18 |
| Propagation Delay (Max) ton/off (ns) |
55/55 |
| Delay Matching (ns) |
10 |
| Features |
UVLO, Integrated LDO, Adjustable positive drive output voltage, -2.5V negative voltage turnoff, 20ns fixed deadtime |
| Operating Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- SW耐压范围：-700V~700V;
- SW dv/dt抑制能力：200V/ns
- 2A/4A峰值驱动电流
- 5V~6.5V可调输出电压
- -2.5V内置输出负压
- 内置5V固定LDO输出用于数字隔离器供电
- 典型值10ns最小输入脉宽
- 典型值30ns输入输出传输延时
- 典型值5ns脉宽畸变
- 典型值6.5ns上升时间（1nF 负载）
- 典型值6.5ns下降时间（1nF 负载）
- 典型值20ns死区
- 高边支持自举供电
- 欠压保护、过温保护
- 工作温度范围：-40℃~125℃
应用场景
NSD2622N是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，200V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时匹配的特性，两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。高低边的驱动输出级都内部集成专门的电压调节器，可以生成5V~6.5V可调的稳定正压，以及-2.5V的固定负压，从而省去了外部负压电路。同时集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的场景。
原理图 / 引脚
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