简介
车规级高压半桥非隔离栅极驱动器。纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。
NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。
主要参数
| Package |
SOP8 |
| Rating |
Automotive |
| Drive Object |
MOSFET/IGBT |
| Peak Drive Current (A) |
4/-6 |
| Output Channel |
2 |
| Bus Voltage (V) |
700 |
| VCC (Max) (V) |
24 |
| Propagation Delay (Max) ton/off (ns) |
55/55 |
| Delay Matching (ns) |
7 |
| Features |
UVLO, Interlock |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 高压侧电压范围：+/-1200V（SOP14封装）；+/-700V（SOP8封装）
- 低于35ns传播延时，低于7ns延时匹配
- +4/-6A 驱动电流能力
- 高低侧独立UVLO功能
- 独立逻辑地管脚（SOP14封装）
- 高达150kV/us的高压侧dV/dt抗干扰能力
- 工作温度范围：-40℃~125℃
- 通过AEC-Q100认证
应用场景
- 半桥、全桥、LLC电源拓扑
- 高效高密度工业、通信、服务器电源
- 太阳能、电机驱动及新能源领域
纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。
NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。
原理图 / 引脚
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