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精密运动控制 · 芯片与方案

NSD1026V-DSPR

低边驱动 · 纳芯微电子

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NSD1026V-DSPR

简介

非隔离双路低边驱动器。NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器,适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来驱动各类负载,并且具备快速的上升和下降时间。NSD1026V输入引脚和使能引脚均支持最低-10V输入,增加了芯片的鲁棒性。内部电路提供欠压锁定(UVLO)功能,并且输入引脚的高低阈值之间的迟滞功能提供了出色的抗扰性。NSD1026V的两个通道具有极小的传输延时延迟匹配,可以用于需要并联使用的场景。

主要参数

Package SOP8
Rating Industrial
Drive Object GaNFET/MOSFET/IGBT
Peak Drive Current (A) 5/-5
Output Channel 2
VCC (Max) (V) 30
Propagation Delay (Max) ton/off (ns) 32/32
Delay Matching (ns) 4
Features Enable, Negative voltage handling on input (-10V)
Operation Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 电源电压范围:4.6至26V (最大耐压30V)
  • 拉/灌驱动电流:5A(峰值)
  • 每个通道输出都有独立使能引脚
  • 输入、使能引脚支持负压低至-10V
  • CMOS/TTL兼容逻辑输入
  • 输出引脚支持5A反向灌电流,无需额外保护电路
  • 工作温度范围:-40℃~125℃

应用场景

  • 电源系统
  • 工业电机、变频
  • 光伏、储能

NSD1026V是双通道、高速栅极驱动器,适用于驱动Si MOSFET、IGBT、GaN和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来驱动各类负载,并且具备快速的上升和下降时间。NSD1026V输入引脚和使能引脚均支持最低-10V输入,增加了芯片的鲁棒性。内部电路提供欠压锁定(UVLO)功能,并且输入引脚的高低阈值之间的迟滞功能提供了出色的抗扰性。NSD1026V的两个通道具有极小的传输延时延迟匹配,可以用于需要并联使用的场景。

原理图 / 引脚

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