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NSD1015T-DSPR

低边驱动 · 纳芯微电子

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NSD1015T-DSPR

简介

集成DESAT保护的智能单通道低边栅极驱动器。NSD1015T/MT是智能单通道非隔离栅极驱动器,适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来驱动容性负载。 此外,快速的上升和下降时间以及短传播延迟使NSD1015T/MT系列适用于高频开关应用。NSD1015T/MT的保护特性包括欠压保护(UVLO),退饱和保护 (DESAT) 和开漏输出的故障上报(FAULT)功能。NSD1015T/MT驱动器还可以提供精确的5V输出,从而给数字隔离器等外部芯片供电。此外,NSD1015T可以支持双极性供电,NSD1015MT具有米勒钳位功能,从而保证功率管可靠关断。

主要参数

Package SOP8
Rating Industrial
Drive Object MOSFET/IGBT/SiC
Peak Drive Current (A) 5/-5
Output Channel 1
VCC (Max) (V) 36
Propagation Delay (Max) ton/off (ns) 75/75
Delay Matching (ns) N/A
Features DESAT protection, FAULT output, 5V supply output, Bipolar voltage
Operation Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 电源电压范围VCC-GND:13V至32V
  • 拉/灌驱动电流:5A(峰值)
  • 上升时间16ns(典型值), 下降时间15ns(典型值)
  • 输入输出延时75ns(最大值)
  • UVLO欠压保护
  • DESAT退饱和保护
  • FAULT故障上报功能
  • NSD1015T支持双极性供电,NSD1015MT支持米勒钳位功能
  • 工作温度范围:-40℃~125℃

应用场景

  • 工业伺服驱动器、变频器
  • HEV/EV 电动空压机
  • HEV/EV PTC

NSD1015T/MT是智能单通道非隔离栅极驱动器,适合于驱动MOSFET、IGBT和SiC功率器件。它能够提供5A的拉电流和灌电流来驱动容性负载。 此外,快速的上升和下降时间以及短传播延迟使NSD1015T/MT系列适用于高频开关应用。NSD1015T/MT的保护特性包括欠压保护(UVLO),退饱和保护 (DESAT) 和开漏输出的故障上报(FAULT)功能。NSD1015T/MT驱动器还可以提供精确的5V输出,从而给数字隔离器等外部芯片供电。此外,NSD1015T可以支持双极性供电,NSD1015MT具有米勒钳位功能,从而保证功率管可靠关断。

原理图 / 引脚

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