0755-8255 7621 sales@chiplinkstech.com 周一至周五 9:00–18:00
精密运动控制 · 芯片与方案

纳芯微电子

NOVOSENSE

共 2750 款型号 · 第 28 / 77 页

返回品牌中心
型号所属系列状态简介
NSI6601AED-Q1SPR 隔离单管驱动 active 10A驱动电流的单通道隔离驱动。NSI6601xE是一款单通道隔离式栅极驱动器系列,旨在为多种应用中的IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET提供驱动。
NSI6601B-DSPR 隔离单管驱动 unknown 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上
NSI6601B-DSWVR 隔离单管驱动 active 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上
NSI6601B-Q1SPR 隔离单管驱动 active 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601-Q1是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别
NSI6601C-DSPR 隔离单管驱动 unknown 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上
NSI6601C-DSWVR 隔离单管驱动 active 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上
NSI6601C-Q1SPR 隔离单管驱动 active 单通隔离式栅极驱动器。NSI6601-Q1是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别
NSI6601MB-DSPR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提
NSI6601MB-DSWVR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提
NSI6601MB-Q1SPR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供
NSI6601MB-Q1SWVR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供
NSI6601MC-DSPR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提
NSI6601MC-DSWVR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提
NSI6601MC-Q1SPR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供
NSI6601MC-Q1SWVR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供
NSI6601MEB-DSWVR 隔离单管驱动 active 单通道±10A拉灌电流的集成米勒钳位/分离输出的隔离栅极驱动芯片。NSI6601xE 系列为单通道隔离栅极驱动器,适用于各类场景下驱动IGBT、功率 MOSFE
NSI6601MEC-DSWVR 隔离单管驱动 active 单通道±10A拉灌电流的集成米勒钳位/分离输出的隔离栅极驱动芯片。NSI6601xE 系列为单通道隔离栅极驱动器,适用于各类场景下驱动IGBT、功率 MOSFE
NSI6601MEC-Q1SPR 隔离单管驱动 active 10A驱动电流的单通道隔离驱动。NSI6601xE是一款单通道隔离式栅极驱动器系列,旨在为多种应用中的IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET提供驱动。
NSI6601SH3-DSWVR 隔离单管驱动 active 集成2级变驱动电路能力的隔离单管驱动。NSI6601S 是一款单通道隔离栅极驱动器,可在多种应用中驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。它通过
NSI6601SRC-DSWVR 隔离单管驱动 active 集成2级变驱动电路能力的隔离单管驱动。NSI6601S 是一款单通道隔离栅极驱动器,可在多种应用中驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。它通过
NSI6601WC-DSWVR 隔离单管驱动 active 集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提
NSI6602A-DLAR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602A-DSPNR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602A-DSWKR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602A-DSWR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602A-Q1SPNR 隔离半桥驱动 unknown 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602A-Q1SWKR 隔离半桥驱动 active 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602A-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602B-DLAR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602B-DSPNR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602B-DSWKR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602B-DSWR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
NSI6602B-Q1SPNR 隔离半桥驱动 active 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602B-Q1SWKR 隔离半桥驱动 active 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602B-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 车规高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶
NSI6602C-DLAR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚。NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个
DEV