简介
集成2级变驱动电路能力的隔离单管驱动。NSI6601S 是一款单通道隔离栅极驱动器，可在多种应用中驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。它通过控制两个独立的栅极电阻实现两级压摆率控制，该特性可同时优化 EMI（电磁干扰）和开关损耗。器件能够提供和吸收 25A 峰值电流，并以最低 200kV/μs 的共模瞬态抗扰度（CMTI）保障系统稳健性。驱动器最大供电电压为 32V，输入侧则支持 3V 至 5.5V 供电电压，所有电源电压引脚均具备欠压锁定（UVLO）保护。
凭借高驱动电流能力、出色的稳健性、宽供电电压范围和快速信号传输，NSI6601S 适用于高可靠性、高功率密度和高效开关电源系统。
主要参数
| Package |
SOW8 |
| Rating |
Industrial |
| Peak Drive Current (A) |
25/-25 |
| VCC UVLO Threshold (V) |
12 |
| Input Side VCC Voltage (Max) (V) |
6 |
| Output Side VCC Voltage (Max) (V) |
40 |
| CMTI (Min) (kV/μs) |
200 |
| Isolation Withstand Voltage (kVrms) |
5.7 |
| Insulation Grade |
Reinforced insulation |
| Features |
2 Level Slew rate control |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 隔离单通道驱动器
- 通过独立电阻实现两级压摆率控制
- 支持动态切换及逐周期栅极电阻切换，同时优化 EMI 与效率损耗
- 输入侧供电电压：3V 至 5.5V
- 驱动侧供电电压：最高 35V，具备 12V 欠压锁定（UVLO）
- 25A 峰值拉 / 灌输出电流
- 最低共模瞬态抗扰度（CMTI）：±200kV/μs
- 有源输出钳位
- 输出供电电压绝对最大值：40V
- 典型传播延迟：105ns
- 工作环境温度：-40°C ~ 125°C
- 符合 RoHS 与 REACH 标准
- 无铅器件，适用于无铅焊接工艺：260°C，MSL3（潮湿敏感度等级 3）
应用场景
- 隔离型 DC/DC 与 AC/DC 电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动与电动汽车充电
- UPS（不间断电源）与电池充电器
NSI6601S 是一款单通道隔离栅极驱动器，可在多种应用中驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。它通过控制两个独立的栅极电阻实现两级压摆率控制，该特性可同时优化 EMI（电磁干扰）和开关损耗。器件能够提供和吸收 25A 峰值电流，并以最低 200kV/μs 的共模瞬态抗扰度（CMTI）保障系统稳健性。驱动器最大供电电压为 32V，输入侧则支持 3V 至 5.5V 供电电压，所有电源电压引脚均具备欠压锁定（UVLO）保护。
凭借高驱动电流能力、出色的稳健性、宽供电电压范围和快速信号传输，NSI6601S 适用于高可靠性、高功率密度和高效开关电源系统。
原理图 / 引脚
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