产品特性
- 单通道隔离驱动：耐压 3 千伏有效值 / 5 千伏有效值
- 输入端供电电压：3.1V ~ 17V
- 内置 5A 米勒钳位电路
- 驱动端供电电压：最高 32V，支持 5V/9V/12V/17V 欠压锁定
- 输出峰值灌 / 拉电流：10A
- 高共模瞬态抗扰度：±150 千伏 / 微秒
- 典型传输延时：80 纳秒
- 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
- 符合 RoHS 封装：窄体 SOIC-8、宽体 SOIC-8
- 安规认证SOP8：按 UL1577 标准，5000Vrms 耐压 / 1 分钟 ：按 UL1577 标准，3000Vrms 耐压 / 1 分钟
- 符合德国电工标准：DIN VDE V 0884-11:2017-01
应用场景
- 直流转交流太阳能逆变器
- 电机驱动器 / 变频驱动
- 不间断电源及电池充电器
- 隔离式直流 / 直流、交流 / 直流电源
NSI6601xE 系列为单通道隔离栅极驱动器，适用于各类场景下驱动IGBT、功率 MOSFET 及碳化硅 SiC MOSFET。NSI6601AE 采用分离式输出架构，可独立控制器件上升沿与下降沿时间；NSI6601ME 将功率管栅极内置连接至米勒钳位电路，可避免米勒电流引发的误导通，输出峰值拉灌电流可达 10A。NSI6601xE 提供 SOP8、SOW8 两种封装，依据 UL1577 标准，分别支持3000Vrms、5700Vrms 隔离耐压。器件最低具备 ±150kV/μs 共模瞬态抗扰度（CMTI），保障系统抗干扰与稳定性。驱动侧最高工作供电电压 32V，输入侧供电电压范围 3.1V～17V；所有电源引脚均集成欠压锁定（UVLO）保护功能。 凭借大驱动电流、高抗干扰性、宽供电电压范围以及信号传输延时低的特性，NSI6601xE 非常适用于高可靠性、高功率密度、高效率的开关电源系统。
