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精密运动控制 · 芯片与方案

NSI6601MC-DSWVR

隔离单管驱动 · 纳芯微电子

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NSI6601MC-DSWVR

简介

集成米勒钳位功能的单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。 它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流并提供弥勒钳位功能,防止高di/dt情况下误导通。最低150kV / μs共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统鲁棒性。驱动器的最大电源电压为32V,输入侧为3.1V至17V电源电压供电。 所有电源引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。NSi6601M具有高驱动电流,出色的耐用性,宽广的电源电压范围和快速信号传播,适用于高可靠性,高功率密度和高效率开关电源系统。

主要参数

Package SOW8
Rating Industrial
Peak Drive Current (A) 5/-5
VCC UVLO Threshold (V) 13
Input Side VCC Voltage (Max) (V) 18
Output Side VCC Voltage (Max) (V) 35
CMTI (Min) (kV/μs) 150
Isolation Withstand Voltage (kVrms) 5.7
Insulation Grade Reinforced insulation
Features Miller clamp
Operation Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 隔离式单通道驱动器
  • 输入侧电源电压:3.1V至17V
  • 驱动器侧电源电压:高达32V,9V和13的UVLO选项
  • M版本支持Miller Clamp功能(NSI6601M), 电流高达5A
  • 5A/5A峰值拉灌电流
  • 高CMTI:150kV / μs
  • 78ns典型传播延迟
  • 工作环境温度:-40℃~125℃
  • AEC-Q100
  • 符合RoHS的封装:
  • SOP8(150 mil)
  • SOP8(300 mil)

应用场景

  • 光伏逆变器
  • 电机驱动
  • UPS电源和电池充电器
  • 隔离DC/DC和AC/DC电源

NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。 它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流并提供弥勒钳位功能,防止高di/dt情况下误导通。最低150kV / μs共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统鲁棒性。驱动器的最大电源电压为32V,输入侧为3.1V至17V电源电压供电。 所有电源引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。NSi6601M具有高驱动电流,出色的耐用性,宽广的电源电压范围和快速信号传播,适用于高可靠性,高功率密度和高效率开关电源系统。

原理图 / 引脚

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