简介
10A驱动电流的单通道隔离驱动。NSI6601xE是一款单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在为多种应用中的IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET提供驱动。NSI6601AE提供分离式输出，可分别控制上升时间与下降时间。NSI6601ME将晶体管栅极连接至内部钳位电路，以防止米勒电流引发的误开启。它可提供10A的峰值电流源与电流灌能力。
NSI6601xE采用SOP8或SOW8封装，依据UL1577标准，分别可支持3000VRMS与5700VRMS的隔离电压。器件具备最低150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），可保障系统稳健性。
该驱动器工作电源电压最高为32V，输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护功能。
凭借高驱动电流能力、优异的稳健性、宽电源电压范围及快速信号传输特性，NSI6601xE适用于高可靠性、高功率密度及高效率的开关
主要参数
| Package |
SOW8 |
| Rating |
Automotive |
| Peak Drive Current (A) |
10/-10 |
| VCC UVLO Threshold (V) |
9 |
| Input Side VCC Voltage (Max) (V) |
18 |
| Output Side VCC Voltage (Max) (V) |
35 |
| CMTI (Min) (kV/μs) |
150 |
| Isolation Withstand Voltage (kVrms) |
5.7 |
| Insulation Grade |
Reinforced insulation |
| Features |
Separate output |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 单通道隔离驱动器
- 米勒钳位可选（NSI6601MEB/MEC/MED/MEF）
- 分离输出（NSI6601AEB/AEC/AED/AEF）
- 输入端电源电压：3.1V至17V
- 驱动器侧电源电压：最高32V，支持5V、8V、12V及17V欠压锁定（UVLO）选项
- 10A峰值拉灌输出电流
- 最小共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150kV/μs
- 典型传播延迟85ns
- 工作环境温度：-40°C ~125°C
- 符合RoHS & REACH标准
- 无铅元件，适配260°C、MSL3无铅焊接曲线
- 符合AEC-Q100 1级认证
应用场景
- 隔离式DC/DC及AC/DC电源
- 高压PFC
- 太阳能逆变器
- 电机驱动与电动汽车充电
- 不间断电源（UPS）及电池充电器
NSI6601xE是一款单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在为多种应用中的IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET提供驱动。NSI6601AE提供分离式输出，可分别控制上升时间与下降时间。NSI6601ME将晶体管栅极连接至内部钳位电路，以防止米勒电流引发的误开启。它可提供10A的峰值电流源与电流灌能力。
NSI6601xE采用SOP8或SOW8封装，依据UL1577标准，分别可支持3000VRMS与5700VRMS的隔离电压。器件具备最低150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），可保障系统稳健性。
该驱动器工作电源电压最高为32V，输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护功能。
凭借高驱动电流能力、优异的稳健性、宽电源电压范围及快速信号传输特性，NSI6601xE适用于高可靠性、高功率密度及高效率的开关电源系统。
原理图 / 引脚
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