简介
用于电压检测的高可靠性增强型隔离式Σ-Δ调制器。NSI1316是一款高性能Σ-Δ调制器，基于纳芯微电容隔离技术实现输入与输出分离。隔离栅具有高抗磁干扰能力，有利于高共模电压瞬变下的应用。±1V的宽输入电压和高输入电阻使NSI1316适用于带有大型电阻分压器的高压传感。模拟输入电压经过放大后，由二阶Σ-Δ调制器进行连续采样，并转换为高速单比特数据流。输出数据与外部时钟同步，时钟频率范围为5MHz至21MHz。通过使用适当的数字滤波器（如sinc3滤波器）对比特数据流进行抽取，该器件在20MHz主时钟下，78.125kSPS时可实现16位分辨率和82dB信噪比（SNR）。故障安全功能支持AVDD缺失检测，简化了系统级设计和诊断。
主要参数
| MSL |
MSL3 |
| Package |
SOW8 |
| Rating |
Industrial |
| Type |
Voltage Sensing ADC |
| Input Channels |
1 |
| VDD1 (Max) (V) |
5.5 |
| VDD2 (Max) (V) |
5.5 |
| FSR (mV) |
±1000 |
| Clock Frequency (Max) (MHz) |
21 |
| Clock |
External |
| VIOWM (rms) (V) |
1500 |
| Isolation Voltage (kV) |
5 |
| INL (Max) (LSB) |
±4 |
| Input Offset Error (Max) (μV) |
±600 |
| Input Offset Error Drift (Max) (μV/°C) |
±10 |
| Gain Error (Max) (%) |
±0.3 |
| Gain Error Drift (Max) (ppm/°C) |
±40 |
| CMTI (kV/μs) |
150 |
| SNR (Typ) (dB) |
82 |
| Output Type |
CMOS (clock rising edge effective) |
| Temperature Range (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 绝缘电压高达 5000Vrms
- 时钟频率：5MHz 至 21MHz
- 宽输入电压范围：±1V 线性
- 高输入电阻：1.2GΩ（典型值）
- 电源电压：3.0V 至 5.5V
- 出色的直流性能：
- 失调误差：±0.6mV（最大值）
- 失调漂移：±10µV/°C（最大值）
- 增益误差：±0.3%（最大值）
- 增益漂移：±40ppm/°C（最大值）
- SNR：82dB（典型值）
- THD：-85dB（典型值）
- 高 CMTI：150kV/μs
- 高系统级 EMC 性能：
- 系统级诊断功能：AVDD 监控
- 工作温度：-40°C~125°C
- 符合 RoHS 标准的封装：SOP8（300mil）
应用场景
NSI1316是一款高性能Σ-Δ调制器，基于纳芯微电容隔离技术实现输入与输出分离。隔离栅具有高抗磁干扰能力，有利于高共模电压瞬变下的应用。±1V的宽输入电压和高输入电阻使NSI1316适用于带有大型电阻分压器的高压传感。模拟输入电压经过放大后，由二阶Σ-Δ调制器进行连续采样，并转换为高速单比特数据流。输出数据与外部时钟同步，时钟频率范围为5MHz至21MHz。通过使用适当的数字滤波器（如sinc3滤波器）对比特数据流进行抽取，该器件在20MHz主时钟下，78.125kSPS时可实现16位分辨率和82dB信噪比（SNR）。故障安全功能支持AVDD缺失检测，简化了系统级设计和诊断。
原理图 / 引脚
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