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GDF9304 |
芯感智 | GDF9304流量传感芯片是根据热力学原理对流经芯片表面的气体流量进行测量的。所有的焊盘均拉至一侧以便于封装。此外采用低热源电阻，使其可以在低至5V电压下工作，所以芯片功耗低。芯片敏感区域由一个加热电阻和两组热电堆构成，热电堆分布在加热电阻两端作为上游和下游，当有气体流过时，上游热量被带走而冷却，下游有热量输送而被加热 | 量产 |
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GDP0703 |
芯感智 | GZP0703 压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力晶圆的芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 状态待核实 |
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GDP0703型压力传感器晶圆 |
纳芯微电子 | GZP0703 压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力晶圆的芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 量产 |
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GDP1704 |
芯感智 | GDP1704型压阻式压力敏感芯片采用6寸MEMS产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 量产 |
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GDP1804 |
芯感智 | GDP2406 型压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 量产 |
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GDP2406 |
芯感智 | GDP2406 型压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。##芯片采用 SOI 结构，可用于 180℃的高温领域。芯片具有良好的线性、重复 | 状态待核实 |
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GDP2406型SOI |
纳芯微电子 | GDP2406 型压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。##芯片采用 SOI 结构，可用于 180℃的高温领域。芯片具有良好的线性、重复 | 量产 |
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GDP2604 |
芯感智 | GDP2604 型压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 状态待核实 |
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GDP2604型压力传感器晶圆 |
纳芯微电子 | GDP2604 型压阻式压力敏感芯片采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。 | 量产 |
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GDT1104 |
芯感智 | GDT1104型MEMS热电堆芯片是利用完全自研、特殊的结构设计及MEMS成熟加工工艺制备。具有高灵敏度、高可靠性，可广泛用于耳温枪、额温计、家用电器、食品等温度非接触式测量。 | 状态待核实 |
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GDT1104热电堆传感器晶圆 |
纳芯微电子 | GDT1104型MEMS热电堆芯片是利用完全自研、特殊的结构设计及MEMS成熟加工工艺制备。具有高灵敏度、高可靠性，可广泛用于耳温枪、额温计、家用电器、食品等温度非接触式测量。 | 量产 |