0755-8255 7621 sales@chiplinkstech.com 周一至周五 9:00–18:00
精密运动控制 · 芯片与方案

纳芯微电子

NOVOSENSE

共 2750 款型号 · 第 30 / 77 页

返回品牌中心
型号所属系列状态简介
NSI6602VA-DSPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VA-DSWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VA-DSWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VA-Q1SPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VA-Q1SWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VA-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VB-DLAR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VB-DSPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VB-DSWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VB-DSWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VB-Q1SPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VB-Q1SPOR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VB-Q1SWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VB-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VC-DLAR 隔离半桥驱动 preview 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VC-DSPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VC-DSWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VC-DSWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VC-Q1SPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VC-Q1SPOR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VC-Q1SWKR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VC-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VD-DLAMR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VD-DLAR 隔离半桥驱动 unknown 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VD-DSPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VD-DSWR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入
NSI6602VD-Q1SPNR 隔离半桥驱动 active 第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高
NSI6602VD-Q1SWR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离双通道栅极驱动器。NSI6602V 是一款高可靠性的隔离式双通道栅极驱动 IC。该系列产品配置灵活,可配置为两个低边驱动器、两个高边驱动器或一个半桥
NSI6611ASC-DSWR 隔离智能驱动 active 集成DESAT保护,且支持ASC功能的智能隔离式栅极驱动器。NSI6611是单通道智能隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC
NSI6611ASC-Q1SWR 隔离智能驱动 active 集成DESAT保护,且支持ASC功能的智能隔离式栅极驱动器。NSI6611-Q1是单通道智能隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和S
NSI6622A-DLAR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
NSI6622A-DSPNR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
NSI6622A-DSWKR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
NSI6622A-DSWR 隔离半桥驱动 active 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
NSI6622B-DSPNR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
NSI6622B-DSWKR 隔离半桥驱动 unknown 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 无DT引脚。NSI6622是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输
DEV