简介
高可靠性隔离双通道栅极驱动器。NSI6602V 是一款高可靠性的隔离式双通道栅极驱动 IC。该系列产品配置灵活，可配置为两个低边驱动器、两个高边驱动器或一个半桥驱动器。每通道可提供 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流能力，并具备 33ns 的超快传播延迟以及最大 6ns 的通道延迟匹配。该芯片专为驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 以及 IGBT 功率管而设计。
NSI6602V 在 SOP16 或 SOP14 封装下可提供 3000Vrms 的隔离电压，在 SOW16 或 SOW14 封装下可提供高达 5700Vrms 的隔离电压。高达 150kV/μs（典型值）的共模瞬态抗扰度（CMTI）显著提升了系统的稳健性。
该驱动器支持最高 25V 的供电电压，而输入侧支持 3V 至 18V 的宽工作电压。所有电源引脚均具备欠压锁定（UVLO）保护功能。
主要参数
| Package |
SOW16 |
| Rating |
Automotive |
| Peak Output Current (A) |
6/-8 |
| VCC UVLO Threshold (V) |
4 |
| Input Side VCC Voltage (Max) (V) |
24 |
| Output Side VCC Voltage (Max) (V) |
30 |
| CMTI (Min) (kV/μs) |
100 |
| Isolation Withstand Voltage (kVrms) |
5.7 |
| Insulation Grade |
Reinforced insulation |
| Features |
Programmable dead time, Disable |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 隔离双通道驱动器
- 输入侧供电电压：3V至18V
- 驱动侧供电电压：最高达25V，带欠压锁定（UVLO）
- 6A峰值拉电流和8A峰值灌电流输出
- 高共模瞬态抗扰度（CMTI）：典型值±150kV/us
- 典型传播延迟33ns
- 最大延迟匹配6ns
- 最大脉宽失真9ns
- 可编程死区时间
- 接受最小输入脉冲宽度20ns
- 工作温度：-40℃~125℃
- 符合AEC-Q100 (Grade 1) 标准，适用于汽车应用
- 符合RoHS和REACH标准
应用场景
- 服务器、电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源
- DC-AC太阳能逆变器
- 电机驱动和电动汽车充电
- UPS和电池充电器
NSI6602V 是一款高可靠性的隔离式双通道栅极驱动 IC。该系列产品配置灵活，可配置为两个低边驱动器、两个高边驱动器或一个半桥驱动器。每通道可提供 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流能力，并具备 33ns 的超快传播延迟以及最大 6ns 的通道延迟匹配。该芯片专为驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 以及 IGBT 功率管而设计。
NSI6602V 在 SOP16 或 SOP14 封装下可提供 3000Vrms 的隔离电压，在 SOW16 或 SOW14 封装下可提供高达 5700Vrms 的隔离电压。高达 150kV/μs（典型值）的共模瞬态抗扰度（CMTI）显著提升了系统的稳健性。
该驱动器支持最高 25V 的供电电压，而输入侧支持 3V 至 18V 的宽工作电压。所有电源引脚均具备欠压锁定（UVLO）保护功能。
原理图 / 引脚
资料下载
