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精密运动控制 · 芯片与方案

纳芯微电子

NOVOSENSE

共 2750 款型号 · 第 13 / 77 页

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型号所属系列状态简介
MT8901AT-SD 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8901AT-SS 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8902A-SD 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8902AT-SD 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8911AT-DUAL 霍尔开关&锁存器 unknown 双输出车规级单极型霍尔开关。MT891x-DUAL 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),
MT8912AT-DUAL 霍尔开关&锁存器 unknown 双输出车规级单极型霍尔开关。MT891x-DUAL 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),
MT8962A 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962A-EN 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962A-PLUS 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962AT 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962AT-HX 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962AT-PLUS 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962ET 霍尔开关&锁存器 preview 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8962ET-EN 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保
MT8963A-EN 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT896x-EN采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.8V~26V),以及良好的反向
MT8963ET-EN 霍尔开关&锁存器 active 磁性开关位置检测芯片。MT896x-EN采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.8V~26V),以及良好的反向
MT9101A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9101DT-1616 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9101ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9102A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9102DT-1616 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9102ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9103A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9103DT-1616 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9103ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9105A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9105DT-1616 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9105ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9106A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9106ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9107A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9107ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9108A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9108ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9109A 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
MT9109ET 线性位置传感器 active 线性位置传感器。MT910x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V 工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场
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