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纳芯微电子

NOVOSENSE

共 2750 款型号 · 第 12 / 77 页

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型号所属系列状态简介
MT8632AT-3D 霍尔开关&锁存器 active 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低功耗,并且具有优
MT8632AT-HX 霍尔开关&锁存器 unknown 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低功耗,并且具有优
MT8633AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低功耗,并且具有优
MT8651A 霍尔开关&锁存器 active 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低功耗,并且具有优
MT8651AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低功耗,并且具有优
MT8652A 霍尔开关&锁存器 active 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低
MT8652AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低
MT8652AT-3D 霍尔开关&锁存器 active 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压,1uA 超低
MT8711A 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8711AT 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8711ET 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8712A 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8712AT 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8712ET 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8713A 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8713AT 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8713ET 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8762A 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8762AT 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8762CSP 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8762DT-1616 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8762ET 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8763A 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8763AT 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8763ET 霍尔开关&锁存器 active 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力
MT8822DT-1616 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8823AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8831A 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8831AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8831DT-1616 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8891A 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8891AT 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8891DT-1616 霍尔开关&锁存器 active 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压,1.7uA 超低功耗,
MT8901A-SD 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8901A-SS 霍尔开关&锁存器 active 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
MT8901A-SS-Q 霍尔开关&锁存器 unknown 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向
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