| MT1401-EN |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT1401-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400K |
| MT1531 |
在线编程线性霍尔检测芯片 |
active |
MT1531采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。4.5V~5.5V工作电压，可编程线性霍尔芯片。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃ |
| MT3303-EN |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT3303-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400K |
| MT3411-EN |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT3411-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400K |
| MT4409-EN |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT4409-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400K |
| MT6131 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6131采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片 |
| MT6132 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6132采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片 |
| MT6133 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6133采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片 |
| MT6325 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6325采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能 |
| MT6325-L |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6325采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能 |
| MT6341 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6341采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能 |
| MT6343 |
磁开关 - 磁阻开关系列 |
active |
MT6343采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能 |
| MT6501 |
在线编程角度位置IC |
active |
MagnTek的MT6501是一颗基于各向异性磁阻（AMR）技术的旋转角度传感器芯片。该芯片由一对AMR惠斯通电桥和信号处理ASIC电路组成，随着平行于芯片表面 |
| MT6701 |
高速磁性角度编码IC |
active |
MT6701是MagnTek推出的新一代基于差分霍尔感应原理的磁性角度编码器芯片。 MT6701感应垂直于芯片表面的磁场分量，随着在芯片表面的1对极充磁的径向磁 |
| MT6804 |
低速磁性角度编码IC |
active |
MT6804是一颗基于各向异性磁阻（AMR）技术的旋转角度编码器芯片。该芯片由一对AMR惠斯通电桥和信号处理ASIC电路组成，相比与MT6801，MT6804可 |
| MT6813 |
低速磁性角度编码IC |
active |
MT6813是MagnTek推出的第二代角度编码器芯片， 基于各向异性磁阻（AMR）技术和专有的信号处理技术实现0~360°的绝对角度测量。该芯片由一对AMR惠 |
| MT6815 |
低速磁性角度编码IC |
active |
MT6815是MagnTek推出的第二代角度编码器芯片，基于各向异性磁阻（AMR）技术和专有的信号处理技术实现0~360°的绝对角度测量。该芯片由一对AMR惠斯 |
| MT6816 |
高速磁性角度编码IC |
active |
MT6816是MagnTek推出的第三代磁性角度编码器芯片， 基于各向异性磁阻（AMR）技术和专有的信号处理技术实现0~360°的绝对角度测量。该芯片由一对AM |
| MT6825 |
高速磁性角度编码IC |
active |
MT6825是MagnTek推出的第三代磁性角度编码器芯片， 基于各向异性磁阻（AMR）技术和专有的信号处理技术实现0~360°的绝对角度测量。该芯片由一对AM |
| MT6826 |
高速磁性角度编码IC |
active |
MT6826是MagnTek最新推出的第四代磁性角度编码器IC家族的一员，基于麦歌恩的各向异性磁阻（Anisotropic Magnetoresistive，简 |
| MT6835 |
高速磁性角度编码IC |
active |
MT6835芯片是MagnTek最新推出的第四代磁性角度编码器IC，即MT6825的全新升级芯片，基于各向异性磁阻（Anisotropic Magnetores |
| MT8001 |
磁开关 - 微功耗系列 |
active |
MT8001芯片是MagnTek最新推出的微距离磁性检测芯片，是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。 MT8001磁性霍尔传感器能够通过I2C通讯，输出12位精度的 |
| MT8111 |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT8111采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的 |
| MT8161 |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT8161采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的 |
| MT8162 |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT8162采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的 |
| MT8181 |
磁开关 - 低压高速系列 |
active |
MT8181采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的 |
| MT8311 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8311采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8312 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8312采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8313 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8313采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8315 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8315采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8361 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8361采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8362 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8362采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8381 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8381采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8382 |
磁开关 - 高压高速系列 |
active |
MT8382采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8511 |
磁开关 - 低压低功耗系列 |
active |
MT8511采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |
| MT8512 |
磁开关 - 低压低功耗系列 |
active |
MT8512采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力， |