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精密运动控制 · 芯片与方案

麦歌恩(MagnTek)

MagnTek

共 84 款型号 · 第 2 / 3 页

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型号所属系列状态简介
MT8551 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8551采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8552 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8552采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8553 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8553采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8562 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8562采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8571 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8571采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8572 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8572采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8573 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8573采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8631 磁开关 - 微功耗系列 active MT8631采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8632 磁开关 - 微功耗系列 active MT8632采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8633 磁开关 - 微功耗系列 active MT8633采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8651 磁开关 - 微功耗系列 active MT8651采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8652 磁开关 - 微功耗系列 active MT8652采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8691 磁开关 - 微功耗系列 active MT8691采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工
MT8711 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8711采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8712 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8712采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8713 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8713采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8762 磁开关 - 低压高速系列 active MT8762采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,100KHz的
MT8763 磁开关 - 低压低功耗系列 active MT8763采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,100KHz的
MT8822 磁开关 - 微功耗系列 active MT8822采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的
MT8823 磁开关 - 微功耗系列 active MT8823采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的
MT8831 磁开关 - 微功耗系列 active MT8831采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的
MT8891 磁开关 - 微功耗系列 active MT8891采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的
MT8901-SD 磁开关 - 低压高速系列 active MT8901采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8901-SS 磁开关 - 低压高速系列 active MT8901采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8902-SD 磁开关 - 低压高速系列 active MT8902采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8902-SS 磁开关 - 低压高速系列 active MT8902采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8911 磁开关 - 低压高速系列 active MT8911采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT8911-DUAL 磁开关 - 低压高速系列 active MT8911-DUAL采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流
MT8912 磁开关 - 低压高速系列 active MT8912L采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力
MT8912-DUAL 磁开关 - 低压高速系列 active MT8912-DUAL采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流
MT8962 磁开关 - 低压高速系列 active MT8962采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.7V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,
MT9101 工厂编程线性霍尔位置检测芯片 active MT9101采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具
MT9102 工厂编程线性霍尔位置检测芯片 active MT9102采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具
MT9103 工厂编程线性霍尔位置检测芯片 active MT9103采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具
MT9105 工厂编程线性霍尔位置检测芯片 active MT9105采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具
MT9211 可编程电流检测芯片 active MT9211是一款专为电流检测应用开发的高速(150KHz带宽)可编程电流检测芯片,采用SIP-4的封装。芯片内部集成温度补偿电路保证在整个工作温度范围内提供优
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