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精密运动控制 · 芯片与方案

NSM2013P-50B5F-DSWR

集成式电流传感器 · 纳芯微电子

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NSM2013P-50B5F-DSWR 产品图

简介

高精度集成式电流传感器。NSM201x-P 是纳芯微高精度集成式电流传感器系列,导通电阻低至 0.27mΩ,可显著降低芯片上的热损耗。该系列新品采用创新的隔离技术与信号调理设计,可精准感应汇流排电流,并且内部集成的差分霍尔结构具有出色的抗外部杂散磁场干扰能力。NSM201x-P 通过感应汇流排电流在芯片下方产生的磁场,从而间接检测电流。NSM201x-P 无需原边供电,布局更简单,同时具备极高的隔离耐压能力与长期稳定性。在高端电流检测应用中,NSM201x-P 的基本绝缘工作电压可达 1618Vpk,能够承受 10kV 浪涌电压及 20kA 浪涌电流,且无需外加任何保护器件。 NSM201x-P 采用伪差分输出模式(固定输出),在一定电源电压范围内,其灵敏度保持不变,系统设计中可省去 LDO。得益于内部精确的温度补偿算法及出厂校准,NSM201x-P 可保持全温域高精度,无需额外编程或校准

主要参数

Package SOW16
Rating Industrial
Primary Resistance (mΩ) 0.85
Dielectric Strength (Vrms) 5000
Creepage (mm) 8
Power Supply (V) 5.0
Bandwidth (KHz) 240
Response Time (us typ.) 2.2
Operating Temperature (℃) -40~125
Offset (V) 2.5
Sensitivity (mV/A) 40
Current Sense Range (A) ±50
产品说明与原始资料

产品特性

  • 高精度电流测量:
  • 全温度范围内灵敏度误差<1%
  • 全温度范围内极低的零点误差:<±1mV (NSM2012/2013), <±3mV (NSM2015/2019),
  • 高带宽与快速响应时间
  • 带宽高达 400kHz
  • 响应时间低至 1.5μs
  • 差分霍尔结构,有效抑制杂散磁场干扰
  • 符合 UL 标准的高隔离等级
  • 基本绝缘工作电压(VWVBl)高达1618Vpk / 1144Vrms
  • 隔离耐压(VISO):5000Vrms
  • 最大浪涌隔离耐压(VlOSM):10kV
  • 最大浪涌电流(Isurge)高达20kA
  • 共模瞬态抗扰度(CMTI)> 100V/ns
  • CTI(爬电指数): 1 级
  • 爬电距离 / 电气间隙:4mm/8mm/8.2mm
  • 过流故障保护功能
  • 纳芯微创新的“自旋电流”技术使偏置温漂极小
  • 带参考电压(Vref)的固定输出模式
  • 工作温度范围:-40°C ~ 125°C/-40°C ~ 150°C
  • 内部初级电阻:1.2mΩ/0.85mΩ/0.27mΩ
  • SOP8封装/SOW16封装/SOW10封装
  • 符合 UL62368 / EN62368 安全认证
  • 符合 ROHS 环保标准

应用场景

  • 太阳能系统
  • 工业电源
  • 电机控制
  • OBC/DCDC充电桩

NSM201x-P 是纳芯微高精度集成式电流传感器系列,导通电阻低至 0.27mΩ,可显著降低芯片上的热损耗。该系列新品采用创新的隔离技术与信号调理设计,可精准感应汇流排电流,并且内部集成的差分霍尔结构具有出色的抗外部杂散磁场干扰能力。NSM201x-P 通过感应汇流排电流在芯片下方产生的磁场,从而间接检测电流。NSM201x-P 无需原边供电,布局更简单,同时具备极高的隔离耐压能力与长期稳定性。在高端电流检测应用中,NSM201x-P 的基本绝缘工作电压可达 1618Vpk,能够承受 10kV 浪涌电压及 20kA 浪涌电流,且无需外加任何保护器件。 NSM201x-P 采用伪差分输出模式(固定输出),在一定电源电压范围内,其灵敏度保持不变,系统设计中可省去 LDO。得益于内部精确的温度补偿算法及出厂校准,NSM201x-P 可保持全温域高精度,无需额外编程或校准。支持可调过流保护,兼容 3.3V/5V 供电(版本可选)。

原理图 / 引脚

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