简介
第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大供电电源电压为28V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。NSI6602V在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离,
主要参数
| Package |
LGA13 |
| Rating |
Industrial |
| Peak Output Current (A) |
6/-8 |
| VCC UVLO Threshold (V) |
6 |
| Input Side VCC Voltage (Max) (V) |
24 |
| Output Side VCC Voltage (Max) (V) |
30 |
| CMTI (Min) (kV/μs) |
100 |
| Isolation Withstand Voltage (kVrms) |
2.5 |
| Insulation Grade |
Basic insulation |
| Features |
Programmable dead time, Disable |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 隔离式双通道驱动器
- 输入侧电源电压: 3V至18V
- 驱动器侧电源电压: 最大耐压30V，具有UVLO功能
- 峰值6A/8A拉灌电流能力
- 高CMTI:150kV/us
- 25ns典型传播延迟
- 5ns最大延迟匹配
- 6ns最大脉冲宽度失真
- 可编程死区时间
- 接受最小输入脉冲宽度15ns
- 工作温度: -40℃~125℃
- 封装形式: LGA13(4*4mm), LGA13(5*5mm), SOW14, SOW16, SOP16
应用场景
- 服务器，电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源
- DC-AC太阳能逆变器
- 电机驱动和EV充电
- UPS和电池充电器
NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大供电电源电压为28V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。NSI6602V在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离, 在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。
原理图 / 引脚
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