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精密运动控制 · 芯片与方案

NSI6602MB-DSWTR

隔离半桥驱动 · 纳芯微电子

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NSI6602MB-DSWTR

简介

集成米勒钳位功能的隔离式双通道栅极驱动器。NSI6602M是一款集成米勒钳位功能的隔离式双通道栅极驱动器,专为驱动IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET而设计。能够提供5A/5A的拉灌电流,米勒钳位电流高达5A,typical 150 kV/μs共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统的鲁棒性。该驱动器的最大耐压为35V,输入侧电源电压范围为3~5.5V,并具备欠压锁定(UVLO)保护。NSI6602M凭借其高驱动电流能力、双通道米勒钳位功能、出色的耐用性、宽电源电压范围及快速信号传播能力,广泛适用于高可靠性、高功率密度及高效率的开关电源系统。

主要参数

Package SOW18
Rating Industrial
Peak Output Current (A) 5/-5
VCC UVLO Threshold (V) 9
Input Side VCC Voltage (Max) (V) 6
Output Side VCC Voltage (Max) (V) 35
CMTI (Min) (kV/μs) 100
Isolation Withstand Voltage (kVrms) 5.7
Insulation Grade Reinforced insulation
Features Miller clamp, Programmable dead time, Disable
Operation Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 隔离式双通道驱动器
  • 输入侧电源电压:3V~5.5V
  • 驱动器侧电源电压:最大耐压35V,具有UVLO功能
  • 峰值5A/5A拉灌电流能力
  • 支持Miller Clamp功能,电流高达5A
  • 高CMTI:typical 150kV/μs
  • 典型传播延迟:80ns
  • 最大延迟匹配:5ns
  • 最大脉冲宽度失真:25ns
  • 可编程死区时间
  • 接受最小输入脉冲宽度:30ns
  • 工作温度: -40℃~125℃
  • AEC-Q100认证

应用场景

  • 服务器,电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源
  • DC-AC太阳能逆变器
  • 电机驱动和EV充电
  • UPS和电池充电器

NSI6602M是一款集成米勒钳位功能的隔离式双通道栅极驱动器,专为驱动IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET而设计。能够提供5A/5A的拉灌电流,米勒钳位电流高达5A,typical 150 kV/μs共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统的鲁棒性。该驱动器的最大耐压为35V,输入侧电源电压范围为3~5.5V,并具备欠压锁定(UVLO)保护。NSI6602M凭借其高驱动电流能力、双通道米勒钳位功能、出色的耐用性、宽电源电压范围及快速信号传播能力,广泛适用于高可靠性、高功率密度及高效率的开关电源系统。

原理图 / 引脚

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