简介
高可靠性隔离双通道栅极驱动器。NSI6602xHx 是一系列高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 IC，可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。每个输出可提供 6A 源电流和 8A 峰值灌电流，具有 33ns 的快速传播延迟和 6ns 的最大延迟匹配。它设计用于驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。
NSI6602xHx 在 SOP16 或 SOP14 封装中提供 3000Vrms 隔离，在 SOW16 或 SOW14 封装中提供 5700Vrms 隔离。150kV/μs 的典型共模瞬态抗扰度（CMTI）支持系统稳健性。
该驱动器的最大电源电压为 25V，而输入侧接受 3V 至 18V 的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护。
主要参数
| Package |
SOW16 |
| Rating |
Automotive |
| Peak Output Current (A) |
6/-8 |
| VCC UVLO Threshold (V) |
13 |
| Input Side VCC Voltage (Max) (V) |
24 |
| Output Side VCC Voltage (Max) (V) |
30 |
| CMTI (Min) (kV/μs) |
100 |
| Isolation Withstand Voltage (kVrms) |
5.7 |
| Insulation Grade |
Reinforced insulation |
| Features |
Programmable dead time, Disable |
| Operation Temperature (°C) |
-40~125 |
产品说明与原始资料
产品特性
- 隔离式双通道驱动器
- 输入侧电源电压：3V 至 18V
- 驱动侧电源电压：带 UVLO 时最高 25V
- 6A 峰值源极和 8A 峰值灌极输出
- 高 CMTI：典型值 ±150kV/μs
- 典型传播延迟 33ns
- 最大延迟匹配 6ns
- 最大脉冲宽度失真 9ns
- 可编程死区时间
- 接受最小输入脉冲宽度 15ns
- 工作温度：-40℃~125℃
- 符合 AEC-Q100（1 级）汽车应用认证
- 符合 RoHS 和 REACH 标准
应用场景
- 服务器、电信和工业领域的隔离式DC-DC和AC-DC电源
- DC-AC太阳能逆变器
- 电机驱动器和电动汽车充电
- 不间断电源（UPS）和电池充电器
NSI6602xHx 是一系列高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 IC，可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。每个输出可提供 6A 源电流和 8A 峰值灌电流，具有 33ns 的快速传播延迟和 6ns 的最大延迟匹配。它设计用于驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。
NSI6602xHx 在 SOP16 或 SOP14 封装中提供 3000Vrms 隔离，在 SOW16 或 SOW14 封装中提供 5700Vrms 隔离。150kV/μs 的典型共模瞬态抗扰度（CMTI）支持系统稳健性。
该驱动器的最大电源电压为 25V，而输入侧接受 3V 至 18V 的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护。
原理图 / 引脚
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