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精密运动控制 · 芯片与方案

NSG65N15K-DQAFR

智能GaN · 纳芯微电子

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NSG65N15K-DQAFR

简介

集成化的Power Stage芯片。NSG65N15K是GaN半桥功率芯片,内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管。NSG65N15K内部集成了自举二极管,并且具备可调死区时间、欠压保护等功能,有利于实现 GaN的安全、可靠工作,并充分发挥其高频、高速的特性优势。

主要参数

Package QFN32
Rating Industrial
Product Type Half bridge
Bus Voltage (V) 700
Rds (on) (mΩ) 150
Ids (A) 20
Features UVLO, Dead-time programmable, Integrated bootstrap diode
Operating Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 内部集成650V的GaN开关管和半桥驱动器
  • GaN导阻电阻150mΩ
  • 无反向恢复损耗
  • 内置LDO,使驱动电压更稳定可靠
  • 高低边独立 UVLO 保护功能
  • 内部可调死区时间
  • 内置自举二极管
  • 推荐运行环温:-40℃ ~125℃
  • 封装形式: QFN32 9mm*9mm

应用场景

  • 图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑
  • 适配器高密电源
  • 光伏、电机驱动及新能源领域

NSG65N15K是GaN半桥功率芯片,内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管。NSG65N15K内部集成了自举二极管,并且具备可调死区时间、欠压保护等功能,有利于实现 GaN的安全、可靠工作,并充分发挥其高频、高速的特性优势。

原理图 / 引脚

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