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精密运动控制 · 芯片与方案

NPM12055A-CCAER

锂电保护 CSP MOSFET · 纳芯微电子

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NPM12055A-CCAER

简介

12V锂电保护 CSP MOSFET。NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET,该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力,更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD(>2kV)保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。

主要参数

Package WLCSP
Rating Consumer
VDS (V) 12
VGS (V) ±8
ID (25℃) (A) 10
RSSON@VGS=4.5V Typ. (mΩ) 5.5
RSSON@VGS=3.8V Typ. (mΩ) 6
VGSth (V) 0.6
Polarity N+N
ESD √
产品说明与原始资料

产品特性

  • 超低导通电阻 0.9~5.5 mΩ
  • 先进CSP封装,体积小、散热性能好、电性连接寄生参数小
  • 优异的短路过流能力与雪崩过压能力
  • 特色封装结构与工艺,更强的机械压力耐受能力

应用场景

  • 锂电池保护开关
  • 锂电池充放电切换开关

NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET,该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力,更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD(>2kV)保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。

原理图 / 引脚

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