简介
12V锂电保护 CSP MOSFET。NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET,该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力,更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。
纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD(>2kV)保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。
主要参数
| Package |
WLCSP |
| Rating |
Consumer |
| VDS (V) |
12 |
| VGS (V) |
±8 |
| ID (25℃) (A) |
10 |
| RSSON@VGS=4.5V Typ. (mΩ) |
5.5 |
| RSSON@VGS=3.8V Typ. (mΩ) |
6 |
| VGSth (V) |
0.6 |
| Polarity |
N+N |
| ESD |
√ |
产品说明与原始资料
产品特性
- 超低导通电阻 0.9~5.5 mΩ
- 先进CSP封装,体积小、散热性能好、电性连接寄生参数小
- 优异的短路过流能力与雪崩过压能力
- 特色封装结构与工艺,更强的机械压力耐受能力
应用场景
NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET,该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力,更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。
纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD(>2kV)保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。
原理图 / 引脚
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