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精密运动控制 · 芯片与方案

NCEPB302G

N 沟道 MOSFET · 无锡新洁能

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NCEPB302G 产品图

简介

NCEPB302G · N MOSFET,技术参数以原厂资料为准。

主要参数

工业/车规级 工业级
Technology SGT半桥
Product status Production
Package DFN5*6
Polarity N
BVDSS(V) 30
ID(A) 25
VTH(V) 1.5
RDS(ON) @10VTyp 7.6
RDS(ON) @4.5VTyp 10
QG(nC) 15
PD(W) 28
ID(A)(组2) 75
RDS(ON) @10VTyp(组2) 3.9
RDS(ON) @4.5VTyp(组2) 5.1
QG(nC)(组2) 34.6
PD(W)(组2) 65
产品说明与原始资料
Part Number工业/车规级TechnologyProduct statusPackagePolarityBVDSS(V)ID(A)VTH(V)RDS(ON) @10VTypRDS(ON) @4.5VTypQG(nC)PD(W)
NCEPB302G工业级SGT半桥ProductionDFN5*6N30251.57.6101528
DEV