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精密运动控制 · 芯片与方案

NCE6602N

N+P MOSFET · 无锡新洁能

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简介

NCE6602N · N+P MOSFET,技术参数以原厂资料为准。

主要参数

工业/车规级 工业级
Technology Trench
Product status Production
Package SOT-23
Polarity N+P
BVDSS(V) -30
ID(A) -2.7
VTH(V) -1.6
RDS(ON) @10VTyp 69
RDS(ON) @4.5VTyp 110
QG(nC) 5.8
PD(W) 1.2
BVDSS(V)(组2) 30
ID(A)(组2) 3.5
VTH(V)(组2) 1.5
RDS(ON) @10VTyp(组2) 36
RDS(ON) @4.5VTyp(组2) 60
QG(nC)(组2) 10
产品说明与原始资料
Part Number工业/车规级TechnologyProduct statusPackagePolarityBVDSS(V)ID(A)VTH(V)RDS(ON) @10VTypRDS(ON) @4.5VTypQG(nC)PD(W)
NCE6602N工业级TrenchProductionSOT-23N+P-30-2.7-1.6691105.81.2
DEV