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精密运动控制 · 芯片与方案

NCE60NP2012K

N+P MOSFET · 无锡新洁能

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简介

NCE60NP2012K · N+P MOSFET,技术参数以原厂资料为准。

主要参数

工业/车规级 工业级
Technology Trench
Product status Production
Package TO-252
Polarity N+P
BVDSS(V) -60
ID(A) -12
VTH(V) -1.5
RDS(ON) @10VTyp 84
RDS(ON) @4.5VTyp 100
QG(nC) 37.6
PD(W) 50
BVDSS(V)(组2) 60
ID(A)(组2) 20
VTH(V)(组2) 1.6
RDS(ON) @10VTyp(组2) 24
RDS(ON) @4.5VTyp(组2) 30
QG(nC)(组2) 25
产品说明与原始资料
Part Number工业/车规级TechnologyProduct statusPackagePolarityBVDSS(V)ID(A)VTH(V)RDS(ON) @10VTypRDS(ON) @4.5VTypQG(nC)PD(W)
NCE60NP2012K工业级TrenchProductionTO-252N+P-60-12-1.58410037.650
DEV