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精密运动控制 · 芯片与方案

NCE609

N+P MOSFET · 无锡新洁能

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简介

NCE609 · N+P MOSFET,技术参数以原厂资料为准。

主要参数

工业/车规级 工业级
Technology Trench
Product status Production
Package TO-252
Polarity N+P
BVDSS(V) -40
ID(A) -14
VTH(V) -1.5
RDS(ON) @10VTyp 29
RDS(ON) @4.5VTyp 35
QG(nC) 21
PD(W) 40
BVDSS(V)(组2) 40
ID(A)(组2) 21
VTH(V)(组2) 1.5
RDS(ON) @10VTyp(组2) 14
RDS(ON) @4.5VTyp(组2) 19
QG(nC)(组2) 24
产品说明与原始资料
Part Number工业/车规级TechnologyProduct statusPackagePolarityBVDSS(V)ID(A)VTH(V)RDS(ON) @10VTypRDS(ON) @4.5VTypQG(nC)PD(W)
NCE609*工业级TrenchProductionTO-252N+P-40-14-1.529352140
DEV