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精密运动控制 · 芯片与方案

NCE30NP1812Q

N+P MOSFET · 无锡新洁能

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简介

NCE30NP1812Q · N+P MOSFET,技术参数以原厂资料为准。

主要参数

工业/车规级 工业级
Technology Trench
Product status Production
Package DFN3*3
Polarity N+P
BVDSS(V) -30
ID(A) -12
VTH(V) -1.7
RDS(ON) @10VTyp 29
RDS(ON) @4.5VTyp 55
QG(nC) 12.9
PD(W) 15
BVDSS(V)(组2) 30
ID(A)(组2) 18
VTH(V)(组2) 1.6
RDS(ON) @10VTyp(组2) 19
RDS(ON) @4.5VTyp(组2) 26
QG(nC)(组2) 15
PD(W)(组2) 17
产品说明与原始资料
Part Number工业/车规级TechnologyProduct statusPackagePolarityBVDSS(V)ID(A)VTH(V)RDS(ON) @10VTypRDS(ON) @4.5VTypQG(nC)PD(W)
NCE30NP1812Q工业级TrenchProductionDFN3*3N+P-30-12-1.7295512.915
DEV